单元红外探测器 , 多元红外探测器

所属分类：单元、多元红外探测器 PYROSENS
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发布日期：2021-04-05 22:05:56

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产品概述
性能特点
技术参数

产品详细描述

单元探测器、多元探测器

• 钽酸锂(LiTaO3)制成的探测器
• 很高的探测率(109cm√Hz/W)
• 超低噪声
• 低颤噪效应
• 低温依赖性
• 非常好的长期稳定性
• 电压或电流模式
• 客户设计红外滤光片
• 可选带吸收器或银黑
• 可选带热补偿
• 每个探测器可达4个光谱通道
• 单个元件几何尺寸不同
• 不同封装类型
• 优绣的性价比

应用

DIAS公司生产的焦热电单元、多元红外探测器设计用于气体分析、光谱分析、温度检测及安检等应用。

通过对超薄的元件用现代离子蚀刻技术可以获得非常高的比探测率D*。

大量不同的红外传感器结构使得无论是少量还是大量都可以以很高的性价比进行定制。

型号

型号一览
型号	元件尺寸	附加吸收体	热补偿	SV(V/W)	uRn (nV/√Hz)	D* (cm√Hz/W)
单元探测器4
LT －标准型
LT Q2	2 mm x 2 mm			300	150	4·108
LT Q1.2	1.2 mm x 1.2 mm			800	370	2.5·108
LT Q1	1 mm x 1 mm			1100	500	2·108
LT Q0.5	0.5 mm x 0.5 mm			3200	1500	1·108
LT G2	2 mm x 2 mm			300	170	3.5·108
LT G2PC	2 mm x 2 mm		x	150	100	3·108
LT D2.5	∅2.5 mm			220	140	4·108
LT D2	∅ 2 mm			360	190	3.5·108
LT D1	∅1 mm			1200	700	2·108
LTI Q2 3	2 mm x 2 mm			250	80	8·108
LTI Q1.2 3	1.2 mm x 1.2 mm			700	120	6.5·108
LTI Q1 3	1 mm x 1 mm			900	160	6·108
LTI Q0.5 3	0.5 mm x 0.5 mm			3500	500	3·108
LTI D2 3	∅2 mm			300	80	8·108
LTI D1 3	∅1 mm			1200	200	5·108
LTI Q2I100 3. 5	2 mm x 2 mm			300000	100000	8·108
LTA－增强吸收型
LTA G2	2 mm x 2 mm	x		400	170	4.5·108
LTA G2PC	2 mm x 2 mm	x	x	200	100	3.7·108
LTAI G2 3	2 mm x 2 mm	x		300	100	6·108
LTA G2I10 5	2 mm x 2 mm	x		15000	20000	1.5·108
LTA G2I10PC 5	2 mm x 2 mm	x	x	14000	20000	1.4·108
LTA G2I100 5	2 mm x 2 mm	x		70000	20000	2.5·108
LTA G2I100PC 5	2 mm x 2 mm	x	x	65000	20000	2.3·108
LTS－带银黑型
LTS Q2	2 mm x 2 mm	x		420	150	5·108
LTS Q1.2	1.2 mm x 1.2 mm	x		1200	370	3.5·108
LTS Q1	1 mm x 1 mm	x		1600	500	3·108
LTS D2.5	∅2.5 mm	x		340	140	6·108
LTS D2	∅ 2 mm	x		520	190	5·108
LTS D1	∅1 mm	x		1800	700	2.5·108
LTSI Q2 3	2 mm x 2 mm	x		350	80	9·108
LTSI Q1.2 3	1.2 mm x 1.2 mm	x		900	120	9·108
LTSI Q1 3	1 mm x 1 mm	x		1300	150	8·108
LTSI D2 3	∅2 mm	x		450	80	9·108
LTSI D1 3	∅1 mm	x		1600	200	7.5·108
LTSI Q2I100 5	2 mm x 2 mm	x		450000	100000	1·109
多元探测器
2LTA G2	2 x 2 mm x 2 mm	x		300	170	3.4·108
2LTA G2PC	2 x 2 mm x 2 mm	x	x	150	100	3·108
3LTA G2	3 x 2 mm x 2 mm	x		300	170	3.4·108
3LTA G2PC	3 x 2 mm x 2 mm	x	x	150	100	3·108
4LTA G2	4 x 2 mm x 2 mm	x		300	170	3.4·108

SV 响应率， uRn 噪声电压， D* 比探测率， x 代表有这项功能

备注

1 频率: 10 Hz，探测器温度: 25 °C

2 黑体温度: 500 K，滤光片透过率: 100 %

3 通过芯片离子蚀刻减低噪声

4 其它元件尺寸可选

5 电流模式型号TO18， TO39 或 TO8封装，典型偏置电压: 0.4~1.5 V，典型操作电压: 2~18 V，

操作和存储温度: –20~ 70 °C，LTS型号操作和存储温度: –20~60 °C

资料下载：德国DIAS红外公司单元、多元、阵列红外探测器

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